机译:在Gaas衬底上通过金属有机化学气相沉积生长的InGaas / InGaasp / InGap量子阱激光二极管的界面结构
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的InGaP / InGaAsP / GaAs 0.808 / splμ/ m分离限制激光二极管
机译:金属有机化学气相沉积生长的InAs / InGaAsP / InP量子点激光器
机译:高性能980 nm量子阱激光器,采用无金属InGaAs-InGaAsP有源区和通过金属有机化学气相沉积法生长的AlGaAs包层的混合材料系统
机译:InGaAs / InP双异质结双极晶体管,具有金属生长的InGaAs基极和InP集电极之间的梯度InGaAsP有机化学气相沉积
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:高连续波输出功率InGaas / InGaasp / InGap二极管激光器:衬底误取向的影响